مشخصات استاندارد حافظه HBM3 و DDR5 اعلام شد؛ تحول در راه است

مشخصات استاندارد حافظه HBM3 و DDR5 اعلام شد؛ تحول در راه است

اگر در انتظار ظهور نسل جدید از فناوری های حافظه نشسته اید، اطلاعات جالبی برای شما داریم. کمپانی Rambus که در زمینه ثبت گواهی های تجاری فعالیت دارد، اخیراً میزبان یک رویداد بوده و چشم اندازی خوبی از استانداردهای حافظه HBM3 و DDR5 ارائه کرده است. گاسپ وب همراه شما

هرچند هنوز استاندارد حافظه HBM3 در دست توسعه است و احتمال تغییر مشخصات آن وجود دارد، اما پهنای باند ۴۰۰۰ مگابیت بر ثانیه از آن انتظار می رود. همچنین اطلاعات منتشر شده نشان می دهد معماری HBM3  پیچیده تر از HBM2 خواهد بود و تعداد لایه های حافظه چند طبقه افزایش خواهد یافت که نتیجه آن افزایش ظرفیت و کارایی خواهد بود. Rambus به فناوری ساخت تراشه های حافظه HBM3  نیز اشاره کرده است که نشان می دهد با فناوری ساخت ۷ نانومتری تولید خواهند شد. این نشان می دهد دست کم تا سال ۲۰۱۹ خبری از HBM3  نخواهد بود.

هم زمان به DDR5 نیز اشاره شده که جایگزین DDR4 فعلی خواهد شد. هدف تعیین شده برای نسل جدید پهنای باند ۴۸۰۰ الی ۶۴۰۰ مگابیت بر ثانیه است. تراشه های حافظه DDR5 نیز با بکارگیری فناوری ساخت ۷ نانومتری تولید خواهند شد. گفته می شود DDR5 ظرفیت بیشتر، پهنای باند دوبرابری مصرف پایین تر انرژی را به ارمغان می آورد.

نظرات ۰

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *